Модуль памяти Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
25370 ₽
Модуль памяти Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
Характеристики
| КомплектацияМодуль памяти | Напряжение (В)1.1 | Подсветканет |
| Тип поставкиOEM | Количество контактов288 | Количество модулей в комплекте (шт)1 |
| МодельM323R1GB4DB0-CWM | Низкопрофильная (Low Profile)нет | Общий объем памяти (ГБ)8 |
Технические характеристики Модуль памяти Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
Дополнительные характеристики
| Комплектация | Модуль памяти |
|---|---|
| Напряжение (В) | 1.1 |
| Подсветка | нет |
| Тип поставки | OEM |
Основные характеристики
| Количество контактов | 288 |
|---|---|
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Модель | M323R1GB4DB0-CWM |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
| Пропускная способность (МБ/с) | 38400 |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Тип памяти | UDIMM |
| Тип памяти DDR | DDR5 |
| Частота (MHz) | 5600 |
Особенности
| - | Да |
|---|---|
| Количество товара в УЕИ | 1 |
| ТНВЭД | 8473302008 |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 40 |
|---|
